<a href="https://t2.tudocdn.net/808759?w=180&amp;h=180&amp;ext=file.jpg"></a><a href="https://t2.tudocdn.net/808759?w=660"></a><p>A pr&oacute;xima gera&ccedil;&atilde;o de mem&oacute;rias RAM j&aacute; est&aacute; sendo desenvolvida pela Samsung, SK Hynix e Micron. Segundo o portal sul-coreano The Elec, as tr&ecirc;s fabricantes est&atilde;o se comunicando com fornecedores de substratos para criar as bases de produ&ccedil;&atilde;o para as mem&oacute;rias LPDDR6 ap&oacute;s revelarem <a href="https://www.tudocelular.com/mercado/noticias/n221482/ddr6-lpddr6-memorias-ram-velocidade-ate-17-6-gbps.html">os primeiros projetos e prot&oacute;tipos iniciais que atingem at&eacute; 17.600 MT/s.</a></p><p>Espessura do m&oacute;dulo, layout de conex&atilde;o e estrutura da pilha da mem&oacute;ria s&atilde;o os principais aspectos abordados no est&aacute;gio inicial de desenvolvimento das novas mem&oacute;rias. A expectativa &eacute; que elas tenham velocidade inicial de 8.800 MT/s, mas podem atingir at&eacute; 21.000 MT/s em overclock.</p><p>Isto deve ser poss&iacute;vel gra&ccedil;as a nova arquitetura multicanal com quatro subcanais de 24 bits, que otimizar&aacute; o gerenciamento de largura de banda, troughtput e opera&ccedil;&otilde;es paralelas de transfer&ecirc;ncia de dados.<a href="https://www.tudocelular.com/windows-phone/noticias/n253582/memorias-ddr6-iniciado-chegarao-mercado.html">Clique aqui para ler mais</a>